仕佳光子获得发明专利授权:“PLC晶圆上包层厚膜生长工艺”

证券之星消息,根据天眼查APP数据显示仕佳光子(688313)新获得一项发明专利授权,专利名为“PLC晶圆上包层厚膜生长工艺”,专利申请号为CN202111226501.8,授权日为2025年4月4日。
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专利摘要:本发明提出了一种PLC晶圆上包层厚膜生长工艺,用以解决现有工艺生长的上包层厚度偏薄,不能满足实际性能需要的技术问题。本发明提出一种PLC晶圆上包层厚膜生长工艺,要求上包层连续进行至少四次生长和退火,上包层厚度满足要达到32μm以上的要求,且增加退火步骤和退火时间,与生长过程中调整掺杂硼烷和磷烷两种气体的流量的手段共同达到减小BOW值的目的,使得BOW值小于250μm;在不使用盖板对芯片进行保护的情况下,PLC晶圆的上包层对保护波导不受外力和杂质侵蚀的能力满足要求,在切割磨抛过程中保护芯层波导,减少因为崩口等原因引起良率的损失,且上包层厚度增加,使截面积变大,在后段的封装过程中,能够提高芯片与光纤阵列连接的效率。
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今年以来仕佳光子新获得专利授权3个,与去年同期持平。结合公司2024年中报财务数据,2024上半年公司在研发方面投入了5386.83万元,同比增9.3%。
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数据来源:天眼查APP
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